综投网（www.zt5.com）08月13日讯

　　8 月 9 日是中国半导体产业极具里程碑的日子，这天，禁锢数十年的高端生产技术被中芯国际一纸财报公开书文末，“14 纳米 FinFET 技术已导入客户”短短几行字给彻底解放，正式宣示中芯 14 纳米制程研发成功，这也是中国目前最高端的芯片制造工艺技术的正式落地。

　　而这一天，是中芯联合首席执行官梁孟松加入中芯后第 298 天。而中芯口中这位神秘的“客户”，业界推测，中国第一大 IC 设计公司海思半导体的呼声极高。

　　台积电、三星拼 7 纳米肉搏战，中芯 14 纳米将快速追上

　　对比台积电、三星电子今年进入 7 纳米技术肉搏战，中芯国际从 28 纳米走到 14 纳米 FinFET 技术节点的进展看似是顺水行舟，但这一步也走了许多年，直到 2017年 10 月 16 日延揽前三星、台积电研发高层梁孟松加入，中国的高端技术工艺突破口才曙光乍现。

　　中芯国际在 8 月 9 日发布最新一季度财务报告明确宣布，14 纳米 FinFET 技术获得重大进展，第一代 14 纳米 FinFET 技术已经进入客户导入生产阶段，而在 28 纳米工艺节点上，除了 PolySiON 技术和 HKC 技术外，28 纳米 HKC + 技术也完成开发，同时 HKC 技术持续上量且良率显著提升。

　　虽然中芯国际没有透露这位“客户”的身份，但根据行业内人士判断，第一个捧场中芯 14 纳米 FinFET 技术的客户由海思出线的机率极高，另外，也传出高通和博通两大 IC 设计公司也是中芯亟欲网罗进入“14 纳米家族”的两大目标群。

　　中芯国际成功研发 14 纳米并进入生产后，将成为中国自主研发的最高端工艺技术，追平台积电位于南京采用 16 纳米 FinFET 技术生产的 12 寸厂。再者，以全球半导体技术阵营的角度来看，中芯在 14 纳米 FinFET 技术上的成功，将会开始用力追赶联电，给对方不小压力，加上联电也计划到上海 A 股进行上市，未来彼此交锋的机率只会多、不会少。

　　2015 年时，中芯国际曾与高通、比利时微电子 imec 合作开发 14 纳米技术工艺，计划以跨国合作的方式来打造中国最先进的集成电路研发平台，不过，这样的合作模式并没有成功，直到网罗梁孟松加入中芯后，成为突破中国半导体制造技术藩篱的关键转折。

　　梁孟松让成立 18 年的中芯进入“转骨期”，业界认为“神乎其技”

　　8 月 9 日是梁孟松加入中芯国际的第 298 天，他用了不到一年的时间，让停滞将近 4 年的技术工艺往前大步跨进。他究竟是如何办到的？如何以 298 天的时间，让已经成立 18 年的中芯国际进入脱胎换骨的“转骨期”，有业界人士以“神乎其技”来形容这项得来不易的成就。

　　而就在同一天，上海市市委书记李强也进行半导体产业发展情况的调研，实地视察半导体制造商中芯国际、华虹集团旗下的 12 寸晶圆厂上海华力微，以及半导体关键设备商供应商中微半导体，还有中国电子信息产业集团旗下生产智能卡和安全芯片的华大半导体。

　　中芯国际身为国内半导体生产制造的领头羊，经历上一任首席执行官邱慈云协助公司将营运结构大改造后，现在的联合首席执行官梁孟松和赵海军，一人负责高端技术研发，另一人负责生产制造的管理，协力让中芯国际突破高端技术的研发和生产瓶颈。

　　梁孟松和赵海军双双表示，中芯正处于过渡时期，在推进技术，建立平台和构筑合作关系上已经看到令人鼓舞的初步进展，同时，中芯今年会朝着高个位数的营收成长迈进。

　　如今，梁孟松领军的研发团队已经成功将 14 纳米 FinFET 导入客户端应用，下一阶段目标是将该技术导入量产，希望 2019 年进入量产并且扩大客户群。

　　中芯国际在14纳米 FinFET奠定基石后，公司指出下一步是推进第二代的 FinFET 工艺技术，以追求更好的 PPAC（power-performance-area-cost）。