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中国将大力发展第三代半导体 附上市公司名单

本站整理 2020-09-08 15:21

  近期,以碳化硅、氮化镓、金刚石为代表的第三代半导体概念异军突起,在上周五大盘低迷的情况下依然创下较好的市场表现。周一早盘,此概念板块依然继续发力,尽管盘中有所回落,但也获得了主力资金的大幅流入。

  机构人士指出,第三代半导体的火爆,一方面受国家政策面影响:有消息称,中国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中;而更重要的是当前国内的人工智能、5G等产业的技术和应用发展向好,支撑了板块内相关细分行业的业绩。

  但是,值得注意的是,半导体板块当前的平均估值较高,市场已经给予了较大的预期,投资需要把握企业的成长价值,避免跟风炒作。

  “第三代半导体”是何方神圣?

  中芯国际创始人兼原CEO、中国半导体奠基人张汝京曾在8月份举办的“中国第三代半导体发展机遇交流峰会”上这样阐释第三代半导体:

  第一代半导体材料以锗和硅为主,因为技术开发得好,所以现在很少用到锗,用硅比较多;

  第二代半导体材料中,常用的是砷化镓和磷化铟,但由于砷有毒,所以很多地方不允许使用,所以第二代半导体材料在高速功率放大器中应用得比较多、LED里也会用到;

  第三代半导体出现了更好的材料,有碳化硅、氮化镓、氮化铝等。碳化硅用在高电压、大功率等方面有特别优势。而人们最熟悉的应用,则是在新能源汽车里,比如特斯拉的Model 3就有用到。氮化镓则在高频的功放器件上用得很多,氮化铝有特殊用途,民用较少。

  有消息称,中国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中,计划在2021到2025年的五年之内,举全国之力,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持,以期实现产业独立自主。

  在我国发力“新基建”的背景下,第三代半导体材料成了非常重要的技术支撑。今年4月,国家发改委首次官宣“新基建”的范围,正式定调了5G基建、人工智能、工业互联网等七大领域的发展方向。而以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为首的第三代半导体是支持“新基建”的核心材料。比如, 以氮化镓(GaN)为核心的射频半导体,支撑着5G基站及工业互联网系统的建设;以碳化硅(SiC) 以及IGBT为核心的功率半导体,支撑着新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统的建设。

  根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》显示,2018年,全球碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的销售收入为5.71亿美元,预计到2020年底增至8.54亿美元。未来十年将保持年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。

标签:概念股

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